pn结的净电流为零的原因是pn结中没有电荷的移动。()

第1题

下列关于PN结的说法中，错误的是（)。

A.空间电荷区中电场最强的地方是在靠近N区的边界上

B.对于单边突变结，空间电荷区宽度主要向低掺杂一侧扩展

C.平衡时，势垒区两侧正负电荷的总数相等

D.平衡时，一般假设势垒区自由电子密度为零，采用耗尽层近似

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第2题

当一个Si材料PN结外加反向电压时，它的耗尽层变宽，势垒增强。因此，其扩散电流为（)

A.无穷大

B.毫安数量级

C.0mA

D.微安数量级

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第3题

未加外部电压时，PN结中电流（)

A.只从P区流向N区

B.只从N区流向P区

C.等于零

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第4题

PN结外加正向电压时，扩散电流______漂移电流，内电场______，耗尽层______。

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第5题

PN结雪崩效应和隧道效应引起的击穿统称为电击穿。（)

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第6题

关于多晶硅和非晶硅电池，以下说法错误的是（)

A.在扩散运动中，只有注入的少子存在很大的浓度梯度，因此扩散电流主要是由少子贡献。

B.非晶硅对可见光谱的吸收很强，是晶硅的500倍，整个太阳光谱中的吸收系数也为单晶硅的40倍，因此非晶硅电池可做的很薄。

C.多晶硅和非晶硅电池都是由pn结构成的，因此它们的基本结构是相同的。

D.与晶体硅电池相比，非晶硅电池中存在光诱导退化效应(S-W效应)，但其光电转化效率随温度升高下降较慢。

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第7题

PN结具有单向导电性，PN结反向电压增加某值时，反向电流会突然增大，这种现象称为PN击穿（)。

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第8题

当工作在恒流区时，N沟道结型场效应管栅极电位（)源极电位，PN结（)。

A.大于，正偏

B.小于，反偏

C.等于，零偏压

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第9题

击穿电压小于4v的属于齐纳击穿，击穿电压高于6v的属于（)。

A.雪崩击穿

B.电压击穿

C.电流击穿

D.PN结击穿

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第10题

‏在MOS管电容的组成部分中，结电容是由底板pn结和侧壁pn结构成的，其中，底板pn结的表达式为每单位面积结电容乘以面积，即Cj×LsW;侧壁pn结为每单位周长电容乘以周长，即Cjsw×(2Ls+2W)。()此题为判断题(对，错)。

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pn结的净电流为零的原因是pn结中没有电荷的移动。（)