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[单选题]

当工作在恒流区时,N沟道结型场效应管栅极电位()源极电位,PN结()。

A.大于,正偏

B.小于,反偏

C.等于,零偏压

答案
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更多“当工作在恒流区时,N沟道结型场效应管栅极电位()源极电位,PN结()。”相关的问题

第1题

N沟道JFET的输出特性和转移特性与______MOS场效应管相似。结型场效应管的输出特性也有三个工作区域:______、______和______。

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第2题

场效应管的工作区域可分为()

A.放大区

B.恒流区

C.可变电阻区

D.截至区

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第3题

结型场效应管是耗尽型场效应管,有______和______2种沟道。

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第4题

用欧姆表的两测试棒分别连接JFFT的漏极和源极,测得阻值为R1,然后将红棒(接负电压)同时与棚极相连,发现欧姆表上阻值仍近似为R1,再将黑棒(接正电压)同时与栅极相连,得欧姆表上阻值为R2,且R2<R1,试确定该场效应管为N沟道还是P沟道.
用欧姆表的两测试棒分别连接JFFT的漏极和源极,测得阻值为R1,然后将红棒(接负电压)同时与棚极相连,发现欧姆表上阻值仍近似为R1,再将黑棒(接正电压)同时与栅极相连,得欧姆表上阻值为R2,且R2<R1,试确定该场效应管为N沟道还是P沟道.

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第5题

p沟道MOSFET,其衬底为()型,当栅极施加适当负压后,可形成()导电沟道。
p沟道MOSFET,其衬底为()型,当栅极施加适当负压后,可形成()导电沟道。

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第6题

场效应管的输出特性可分为截止区、可变电阻区和恒流区。以NMOS管为例,预夹断轨迹是______和______的分界线,而vGS=VT则是恒流区和______的分界线。

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第7题

已知N沟道增强型MOSFET的μ=1000cm2/V.s,Cv=3x10-8F/cm2,W/l=1/1.47,|V≇

已知N沟道增强型MOSFET的μ=1000cm2/V.s,

Cv=3x10-8F/cm2,W/l=1/1.47,|VA|=200V,VDS=10V,工作在饱和区,试求:(1)漏极电流IDQ分别为1mA、10mA时相应的跨导gm,输出电阻rds,放大因子μ.(2)当VDS增加10%时,相应的IDQ值.(3)画出小信号电路模型.

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第8题

维修功放需更换场效应管时,正确的防静电的措施有()。

A.尽量不在机房内发射机工作时或有静电的场所操作

B.使用电烙铁的功率要合适,且其外壳须接地。如不能接地,焊接时应断电

C.拿新管时,手不要触及场效应管的三个极,特别是栅极

D.更换下来的场效应管重新测量一次

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第9题

晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的()使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。

A.n型掺杂区

B.P型掺杂区

C.栅氧化层

D.场氧化层

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第10题

场效应管栅极g的功能相对应三极管的集电极c。()
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