题目内容
(请给出正确答案)
[主观题]
对于大多数结晶物系,晶体成长的控制步骤为()。A.扩散过程B.表面反应过程C.传热过程D.3个过程共同
对于大多数结晶物系,晶体成长的控制步骤为()。
A.扩散过程
B.表面反应过程
C.传热过程
D.3个过程共同控制
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对于大多数结晶物系,晶体成长的控制步骤为()。
A.扩散过程
B.表面反应过程
C.传热过程
D.3个过程共同控制
第8题
为了使结晶器具有较大生产能力,同时得到希望的晶体粒度,结晶操作应控制溶液的过饱和度在()。
A.稳定区
B.介稳区
C.不稳区
D.介稳区与不稳区均可
第9题
不移除溶剂的结晶方法适用的物系是()。
A.溶解度对温度不敏感的物系
B.随温度升高溶解度下降的物系
C.温度降低溶解度显着减小的物系
D.任何物系
第10题
不移除溶剂的结晶方法适用的物系是()。
A.溶解度对温度不敏感的物系
B.随温度升高溶解度下降的物系
C.温度降低溶解度显着减小的物系
D.任何物系