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[主观题]

对于大多数结晶物系,晶体成长的控制步骤为()。A.扩散过程B.表面反应过程C.传热过程D.3个过程共同

对于大多数结晶物系,晶体成长的控制步骤为()。

A.扩散过程

B.表面反应过程

C.传热过程

D.3个过程共同控制

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更多“对于大多数结晶物系,晶体成长的控制步骤为()。A.扩散过程B.表面反应过程C.传热过程D.3个过程共同”相关的问题

第1题

对于相等的结晶产量,若结晶过程中晶核的形成速离远()晶体的成长速度,则产品中晶体小而多,反之,若晶核的形成速率远()晶体的成长速率,则产品中晶体的大小会参差不一。

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第2题

对于溶解度随稳定降低而显著下降的物系,应选择()的方法进行结晶。

A.冷却结晶

B.蒸发结晶

C.真空冷却结晶

D.盐析结晶

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第3题

碳化液在较大的过饱和度下开始结晶时,由于成核速率与相应的晶体成长速率相比要(),因此所得成品粒度会()。

A.快,大

B.快,小

C.慢,大

D.慢,小

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第4题

结晶设备中搅拌器的作用是()

A.使晶种悬浮

B.加速传热,使溶液中各处的温度比较一致

C.加快扩散速度,促使晶核的产生和晶体均匀成长

D.提高溶液溶氧系数

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第5题

由蒸汽、溶液或溶融物中析出固态晶体的操作称为()。

A.盐析

B.分离

C.固化

D.结晶

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第6题

对于大多数企业来说,将长期依赖于供应商和消费者的对立态度改变为利益共享、风险共担的意识比其他步骤更容易,花费的时间更短。()
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第7题

控制晶体成长的()可达到控制颗粒的大小。
控制晶体成长的()可达到控制颗粒的大小。

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第8题

为了使结晶器具有较大生产能力,同时得到希望的晶体粒度,结晶操作应控制溶液的过饱和度在()。A.稳

为了使结晶器具有较大生产能力,同时得到希望的晶体粒度,结晶操作应控制溶液的过饱和度在()。

A.稳定区

B.介稳区

C.不稳区

D.介稳区与不稳区均可

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第9题

不移除溶剂的结晶方法适用的物系是()。A.溶解度对温度不敏感的物系B.随温度升高溶解度下降的物系

不移除溶剂的结晶方法适用的物系是()。

A.溶解度对温度不敏感的物系

B.随温度升高溶解度下降的物系

C.温度降低溶解度显着减小的物系

D.任何物系

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第10题

不移除溶剂的结晶方法适用的物系是()。A.溶解度对温度不敏感的物系B.随温度升高溶解度下降的物

不移除溶剂的结晶方法适用的物系是()。

A.溶解度对温度不敏感的物系

B.随温度升高溶解度下降的物系

C.温度降低溶解度显着减小的物系

D.任何物系

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