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[主观题]

源极跟随器电路如图题4.5.3所示。VDD=VSS=5V。电流源I=5mA,Rg=200千欧,RL=1千欧

,场效应管参数为VTP=-2V,Kp=5mA/V2,λ=0。试求:(1)电路的输出电.阻和输入电阻;(2)小信号电压增益。

源极跟随器电路如图题4.5.3所示。VDD=VSS=5V。电流源I=5mA,Rg=200千欧,RL=

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更多“源极跟随器电路如图题4.5.3所示。VDD=VSS=5V。电流源I=5mA,Rg=200千欧,RL=1千欧”相关的问题

第1题

(1)电路如图题11.3.1所示,开关调整管T的饱和压降VCES=1V,穿透电流ICEO=1mA,vT是幅
(1)电路如图题11.3.1所示,开关调整管T的饱和压降VCES=1V,穿透电流ICEO=1mA,vT是幅

度为5V、周期为60μs的三角波,它的控制电压vB为矩形波(幅值±10V,T=60μs,q=0.6),续流二极管D的正向电压VD=0.6V。vE脉冲波形的占空比q=0.6,周期T=60μs,输入电压V1=20V,输出电压V0=12V,输出电流I0=1A,比较器C的电源电压VCC=±10V,试定量画出电路中当在整个开关周期电流iL连续情况下vT、vA、vB、vE、iL和v0的波形(标出电压的幅度)。

(2)电路给定条件如上题,当续流二极管反向电流很小时,(a)试求开关调整管T和续流二极管D的平均功耗;(b)当电路中电感器L和电容器C足够大时,忽略L、C和控制电路的损耗,计算电源的效率。

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第2题

二极管电路如图题3.4.8a所示,设输入电压v1(t)波形如图b所示,在0<t<5 ms的时间间隔内,试
二极管电路如图题3.4.8a所示,设输入电压v1(t)波形如图b所示,在0<t<5 ms的时间间隔内,试

绘出vo(t)的波形。使用恒压降模型(VD=0.7 V),设二极管是理想的。

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第3题

多路电流源电路如图题7.1.7所示(LM741的偏置电路),求电路中各支路电流IREF。假设BJT的|
多路电流源电路如图题7.1.7所示(LM741的偏置电路),求电路中各支路电流IREF。假设BJT的|

多路电流源电路如图题7.1.7所示(LM741的偏置电路),求电路中各支路电流IREF假设BJT的|VBE|=0.6V,β=∞,各管结面积相同。

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第4题

CMOS共源放大电路如图题4.11.2(主教材图4.6.8a)所示,将电流源IREF换成电阻RREF。设所有
CMOS共源放大电路如图题4.11.2(主教材图4.6.8a)所示,将电流源IREF换成电阻RREF。设所有

MOS管的|VT|=0.8V,λ=0.01v-1。NMOS管的Kn=80μA/V2,(W/L)T1=15;PMOS管的Kn=40μA/V2,(W/L)T2·T3=30,VDD=5V。试用SPICE分析:(1)流过电阻RREF的电流为0.2mA时,确定电阻RREF的阻值;(2)绘出电压传输特性曲线v0=f(v1),并求当vo位于中点时对应的v1值;(3)求小信号电压增益。

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第5题

电路如图题6.4.5所示,其中VDD=5V,Rsi=2千欧,Rg1=60千欧,Rg2=40千欧,Rd=R≇

电路如图题6.4.5所示,其中VDD=5V,Rsi=2千欧,Rg1=60千欧,Rg2=40千欧,Rd=RL=5.1 千欧,MOS管参数为Kn=0.8mA/V2,VTN=1V,λ=0,Cgn=1pF,Cgd=0.4pF。试求该电路的中频源电压增益ArSM和源电压增益的上限频率fH

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第6题

电路如图题4.7.1(主教材图4.7.1)所示。电路参数为RL=5千欧,Rd1=3.3千欧,Rs1=20千欧
电路如图题4.7.1(主教材图4.7.1)所示。电路参数为RL=5千欧,Rd1=3.3千欧,Rs1=20千欧

,Rs2=5千欧,Rg1=500千欧,Rg2=300千欧,IDQ1=IDQ2=1.5mA,VGSQ1=VGSQ2=3V。试求(1)输入和输出电阻;(2)源电压增益Aex

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第7题

一电压比较器电路如图题10.8.3所示。(1)若稳压管Dz的双向限幅值为±Vz=±6V,运放的开环电
一电压比较器电路如图题10.8.3所示。(1)若稳压管Dz的双向限幅值为±Vz=±6V,运放的开环电

压增益Ao=∞,试画出比较器的传输特性;(2)若在同相输入端与地之间接上一参考电压VREF= -5V,重画(1)问的内容。

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第8题

常称为射极跟随器的放大器是()放大器。

A.共源极

B.共射极

C.共基极

D.共集电极

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第9题

在图 LT6-20(a)所示单限比较器电路中,已知稳压管的VZ=6.3V,VD(on)=0.7 V,VREF=2V
在图 LT6-20(a)所示单限比较器电路中,已知稳压管的VZ=6.3V,VD(on)=0.7 V,VREF=2V

(1)试分析比较特性vO-v1;(2)当v(t)=5sinωt(V)时,画出vΩ(t)的波形。

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第10题

串级电流源电路如图题7.1.3所示,NMOS管都工作在饱和放大区,其VTN=0.6V,K'n=μnc01=
160μA/V2,λn=1/10V'L=1μm,W1=W3=4μm,W2=W4=40μm,电路中IREF=20μA,(1)求输出电流I0、T2和T4的VGS2、VGS4,保证电路工作的最小输出电压Vomin的值;(2)求gm2,gm和r02、r04的值,以及电路输出电阻R0的值。

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