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[单选题]

欲测量试品介质的损耗因素tgδ,采用的方法应该是（)。

A.电磁系仪表测量

B.高压西林电桥法测量

C.伏安法测量

D.兆欧表测量

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发布时间：2022-07-27

更多“欲测量试品介质的损耗因素tgδ,采用的方法应该是()。”相关的问题

第1题

通常用绝缘电阻、吸收比及介质损耗因素tgδ三个因素来反映被测试品是否受潮或存在缺陷。()

通常用绝缘电阻、吸收比及介质损耗因素tgδ三个因素来反映被测试品是否受潮或存在缺陷。（)

此题为判断题(对，错)。

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第2题

下列关于电容量和介质损耗试验的说法正确的是（)。

A.有绕组的被试品进行电容量和介质损耗因数试验时，与被试部位相连的所有绕组端子连在一起加压，其余绕组端子均接地

B.电磁式电压互感器应采用末端屏蔽法

C.电容量和介质损耗因数试验中，断路器断口间并联电容器在分闸状态下测量，对于瓷柱式断路器，与断口一起测量

D.对于罐式断路器(包括GIS中的断路器)，按设备技术文件规定进行，测试结果不符合要求时，可对电容器独立进行测量

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第3题

通过测量介质损耗角正切值可以检查被试品是否存在绝缘受潮和劣化等缺陷。

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第4题

测量绝缘的介质损耗能有效发现发现（)

A.小电容试品的严重局部缺陷

B.很小部分绝缘的老化劣化

C.贯穿性缺陷

D.受潮

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第5题

对运用中的悬式绝缘子串劣化绝缘子的检出测量，不应选用（)的方法。

A.测量电位分布

B.火花间隙放电叉

C.热红外检测

D.测量介质损耗因数tg

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第6题

有绕组的被试品进行电容量和介质损耗因数试验时，与被试部位相连的所有绕组端子连在一起加压，其余绕组端子均（)

A.悬空

B.短路

C.接地

D.屏蔽

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第7题

膜纸复合绝缘的电容式电压互感器介质损耗因素测量的注意值是0.005。（）

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第8题

采用短路法进行温升试验，试验的第二阶段应施加（)。A.试品的总损耗B.试品的额定电流C.试品的额

采用短路法进行温升试验，试验的第二阶段应施加()。

A.试品的总损耗

B.试品的额定电流

C.试品的额定电压

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第9题

变压器交接试验时，220kV电压等级绕组的介质损耗因数tgδ（20度)应不大于（)

A.0.5

B.0.6

C.0.7

D.0.8

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