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第1题
在常温下，硅二极管的门槛电压约为___V，导通后在较大电流下的正向压降约为___V；锗二极管的门槛电压约为___V，导通后在较大电流下的正向压降约为___V。
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第2题
四线制道岔控制电路中，道岔表示电路中的整流二极管应采用反向电压不小于500V，正向电流不小于（)mA的整流元件
A.300mA
B.500mA
C.1000A
D.2000A
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第3题
单向半波可控整流电路变压器次级电压为20V则整流二极管实际承受的最高反向电压为（)。
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第4题
单向半波可控整流电路变压器次级电压为20V，一般情况下，我们知道，则整流二极管实际承受的最高反向电压为（)。
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第5题
双向硅电压开关二极管正向和反向都具有相同的负阻开关特性。（)
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第6题
一个硅二极管正向偏置时正常工作，测其两端电压应为（)。
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第7题
当发射结承受正向电压、集电结承受反向电压时，双极型晶体管的工作状态是（)。
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第8题
三相整流电路中的二极管某瞬间只要承受正向电压就导通。（)
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