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[单选题]

平面双极型晶体管的实际工艺中，基区的掺杂采用杂质总量不变的方法而形成的分布是（)。

A.均匀分布

B.线性分布

C.高斯分布

D.余误差分布

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发布时间：2022-09-08

更多“平面双极型晶体管的实际工艺中，基区的掺杂采用杂质总量不变的方法而形成的分布是()。”相关的问题

第1题

在双极型晶体管中，提高集电区掺杂浓度可以抑制：（）。

A.集电区穿通效应

B.Early效应

C.基区穿通效应

D.Webster效应

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第2题

NPN双极型晶体管具有放大作用，要求基区宽度足够小。原因不包括（)。

A.减少在基区中复合的电子数

B.使得从发射区注入基区的载流子绝大部分可到达集电区

C.基区中空穴的扩散长度很小

D.使绝大多数电子可通过基区达到集电结边界

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第3题

在异质结双极型晶体管中，通常将发射结作成异质结，即用宽禁带材料制作发射区，用窄禁带材料制作基区。（)

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第4题

双极型晶体管大注入时，将引起基区电导（)。

A.增加

B.减少

C.先增加后减少

D.不变

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第5题

双极型晶体管具有电流放大能力的条件不包括（)。

A.基区宽度足够小

B.发射结正偏

C.集电结反偏

D.发射结及集电结的结电阻足够小

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第6题

NPN型和PNP型晶体管都含有掺杂区（)

A.发射区

B.基区

C.集电区

D.放大区

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第7题

晶体管能够放大的内部条件是（)。

A.两个背靠背的PN结

B.自由电子与空穴都参与导电

C.有三个掺杂浓度不同的区域

D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大

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第8题

在恒流源电路中，双极型晶体管的工作状态是（)。

A.饱和状态

B.截止状态

C.放大状态

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第9题

以NPN型漂移晶体管为例，基区内建电场的存在加速了在基区中的运动，该载流子做运动。（)

A.电子，扩散

B.电子，漂移

C.电子，漂移和扩散

D.空穴，漂移

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第10题

相比双极型晶体管，场效应管的输入电阻()。

相比双极型晶体管，场效应管的输入电阻（)。

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